FET의 종류는 크게 J-FET와 MOS-FET가 있습니다.

여기서는 MOS-FET 를 실제적으로 설계 하는 방법을 기술하고자 합니다.

FET는 JBT인 TR과 설계 하는 방법이 다릅니다. TR는 순방향 바이어스로 설계를 하지만 FET는 역방향 바이어스로 설계를 해야 합니다.

아래 그림은 N - FET 입니다.  소스(S)와 드레인(D) 의 순방향 전원공급은 아래와 같이 화살표 방향으로 공급하는것이 순방향 공급이라 합니다. 하지만 FET는 TR과 달리 역방향바이어스로 설계를 해야 하므로 전원 은 역방향으로 공급을 해주어야 합니다.

안쪽에 화살표 방향이 전류 방향인데 이 전류 방향의 반대 방향으로 전원을 공급해야 한다는 의미입니다.

전자회로에 사용되는 도형(기호)들은 주로 전류의 흐름을 표시하고 있습니다.

즉 아래와 같이 전원을 공급해야 합니다.

이제 게이트를 설계 해 봅시다. 게이트 또한 역바이어가 될때 FET가 TURN-ON 됩니다.

소스(S)를 기준으로 게이트가 역 바이어스가 되어야 D -> S 로 전류가 흐르게 됩니다.

기초적인 이론을 기초로 설계를 하면 아래와 같습니다.

스위치 J1을 ON 하면 게이트(G)와 소스(S)간에는 역바이어스가 되어  드레인(D) 과  소스( S) 가 TURN-ON 됩니다.

D와 S가 TURN-ON되면 R1의 단자 전압은 증가 하게 됩니다.

P채널 MOS 도 같은 방법으로 설계를 하면 아래와 같습니다.

 정리)

1. D-S간에는 역바이어스로 설계 합니다.

2. S-G간에도 역바이어스가 되면 D 과 S 사이에 전류가 흐릅니다. S-G간에 역바이어스가 전압이 커질수록  D-S간에 흐르는 전류도 커집니다.

3. 소스(S)에는 저항값이 작을 수록 TURN-ON 전류에 유리합니다.

참고) 위의 회로는 이해를 돕기 위한 설계이며 제어용이나 엠프용으로 설계시에는 특성에 맞추어서 바이어스를 맞추어 주어야 합니다.

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